Исследование согласования GaAs кристалла усилителя мощности СВЧ-диапазона с керамическим корпусом QFN
PDF

Ключевые слова

усилитель мощности
СВЧ-диапазон
арсенид галлия
корпус QFN
согласование импеданса
паразитные параметры
S-параметры

Как цитировать

1.
Шеденко В.В., Увайсов С.У., Иванов В.С., Христюк М.С. Исследование согласования GaAs кристалла усилителя мощности СВЧ-диапазона с керамическим корпусом QFN // Успехи кибернетики. 2026. Т. 7, № 2. С. 84-93.

Аннотация

в статье исследовано согласование GaAs СВЧ-усилителя мощности с керамическим корпусом типа QFN. Показано, что исходная конфигурация корпуса не обеспечивает требуемого согласования вследствие влияния паразитных параметров выводов, межсоединений и центральной заземляющей площадки.
Исследование основано на электромагнитном моделировании структуры «кристалл — корпус» и анализе S-параметров. Проведена модификация геометрии корпуса, включающая изменение конфигурации заземляющей площадки, сигнальных выводов и соединительных проводников. Показано, что формирование многозвенной реактивной структуры позволяет улучшить согласование и снизить влияние паразитных параметров без применения дополнительных внешних согласующих цепей.

PDF

Литература

Lai Y. L., Ho C. Y. Electrical Modeling of Quad Flat No-Lead Packages for HighFrequency IC Applications. 2004 IEEE Region 10 Conference TENCON. 2004;4:344–347. DOI: 10.1109/TENCON.2004.1414940.

Lu A. C. W., Xie D. J., Shi Z. F., Ryu W. Electrical and Thermal Modelling of QFN Packages. Proceedings of 3rd Electronics Packaging Technology Conference (EPTC 2000). 2000:352–356. DOI: 10.1109/EPTC.2000.906399.

Гагарина Л. Г., Рубцов Ю. В. Особенности разработки метода классификации плоских QFN корпусов для применения в составе автоматизированных систем технической подготовки производства изделий микроэлектроники. Известия вузов. Электроника. 2022;27(3):322–332. DOI: 10.24151/1561-5405-2022-27-3-322-332.

Степанов В. И., Метель А. А., Сальников А. С., Добуш И. М., Калентьев А. А. Методика моделирования QFN корпусов и ее верификация. Проблемы развития перспективных микрои наноэлектронных систем. 2022;3:74–81. DOI: 10.31114/2078-7707-2022-3-74-81.

Ищенко Е. А., Пастернак Ю. Г., Пендюрин В. А., Проскурин Д. К., Федоров С. М. Применение эквивалентных схем PIN-диодов и МЭМС-ключей в задачах электродинамического моделирования. Труды учебных заведений связи. 2023;9(4):21–33. DOI: 10.31854/1813-324X-2023-9-4-21-33.

Sun H., Zhu B., Sun L., Li H., Yang L. EMC Computer Modelling and Simulation of Integrated Circuits in QFN Package. Progress in Electromagnetics Research M. 2013;33:263–275. DOI: 10.2528/PIERM13082802.

Singh S., Chawla P. Broadband Impedance Matching Network Design for RF Power Amplifier in 5G Frequency Band. 2021 2nd International Conference for Emerging Technology (INCET). 2021:1–4. DOI: 10.1109/INCET51464.2021.9456168.

Битюков В. К., Долматов А. В., Задерновский А. А., Стариковский А. И., Увайсов Р. М. Расчет допустимых отклонений виброускорений печатных узлов методом имитационного моделирования. Russian Technological Journal. 2023;11(6):28–38. DOI: https://doi.org/10.32362/2500-316X-2023-11-6-28-38.

Скачивания

Данные скачивания пока не доступны.